0~50V 0~5000A polikristalinio silicio maitinimo šaltinis

Produkto aprašymas:

Specifikacijos:

Įvesties parametrai: 3 fazių, AC480V±10% ,60HZ

Išėjimo parametrai: DC 0~50V 0~5000A

Išvesties režimas: bendra nuolatinės srovės išvestis

Aušinimo būdas: aušinimas oru/ aušinimas vandeniu

Maitinimo tipas: IGBT pagrindu

Taikymo pramonė: polikristalinio silicio mažinimo krosnies slėgis ir mažinimas, kristalų augimas

Prekės dydis: 87*82,5*196cm

Grynasis svoris: 460 kg

Siųskite mums el. laišką

Specifikacija
Maišytuvo tipas	Vonios kriauklės maišytuvai,
Diegimo tipas	Centrinis rinkinys,
Montavimo skylės	Viena skylė,
Rankenėlių skaičius	Viena rankena,
Baigti	Ti-PVD,
Stilius	Šalis,
Srauto greitis	1,5 GPM (5,7 l/min) maks.
Vožtuvo tipas	Keraminis vožtuvas,
Šalto ir karšto jungiklis	taip,
Matmenys
Bendras aukštis	240 mm (9,5 colio),
Snapelio aukštis	155 mm (6,1 colio),
Snapelio ilgis	160 mm (6,3 colio),
Maišytuvo centras	Viena skylė,
Medžiaga
Maišytuvo korpuso medžiaga	žalvaris,
Maišytuvo snapelio medžiaga	žalvaris,
Maišytuvo rankenos medžiaga	žalvaris,
Informacija apie priedus
Vožtuvas komplekte	taip,
Nutekėjimas įtrauktas	ne,
Svoriai
Grynasis svoris (kg)	0,99,
Siuntimo svoris (kg)	1.17,

funkcija

Įvesties parametrai

AC įvestis 480v±10% 3 fazė
Išvesties parametrai

DC 0~50V 0~5000A nuolat reguliuojama
Išėjimo galia

250 kW
Aušinimo būdas

priverstinis oro aušinimas / vandens aušinimas
PLC analoginis

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Sąsaja

RS485 / RS232
Valdymo režimas

nuotolinio valdymo pulto dizainas
Ekrano ekranas

skaitmeninis ekranas
Kelios apsaugos

fazės trūkumas perkaitimas viršįtampa virš srovės trumpasis jungimas
Valdymo būdas

PLC / mikrovaldiklis

Modelis ir duomenys

Modelio numeris	Išvesties bangavimas	Dabartinis ekrano tikslumas	Voltų ekrano tikslumas	CC/CV tikslumas	Pakilimas ir nusileidimas	Peršaudyti
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5 %	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Produkto programos

Polisilicis yra elementinio silicio forma. Kai išlydytas elementinis silicis sukietėja esant peršalimui, silicio atomai deimantinės gardelės pavidalu išsidėsto į daugybę kristalų branduolių. Jei šie kristalų branduoliai išauga į skirtingų kristalų plokštumos orientacijų grūdelius, tada šie grūdeliai susijungia ir kristalizuojasi į polikristalinį silicį.